傾斜溫度控制用以實(shí)現(xiàn)恒定的層次溫度 • 可對2~32個通道進(jìn)行傾斜溫度控制。 • 對16個組進(jìn)行雙通道傾斜溫度控制,或?qū)?個組進(jìn)行32通道傾斜溫度控制。 • 為每個組設(shè)置傾斜溫度控制或2-PID控制。 • 減少了與可編程控制器進(jìn)行連接時的梯形圖程序設(shè)計工作(同標(biāo)準(zhǔn)控制EJ1型)。 • 以最佳周期控制直接連接到G3ZA多通道電源控制器,追求高精度、低噪聲。
規(guī)格
基本單元/EJ1G-TC
■額定值
項目 型號 |
EJ1G-TC4 |
EJ1G-TC2 |
電源電壓 |
24 VDC |
使用電壓范圍 |
額定電壓的85% ~ 110% |
消耗功率 |
5 W以下(最大負(fù)載下) |
4 W以下(最大負(fù)載下) |
輸入(見注) |
熱電偶: K, J, T, E, L, U, N, R, S, B, W, PLII ES1B紅外線熱敏傳感器: 10 ~ 70℃, 60 ~ 120℃, 115 ~ 165℃, 140 ~ 260℃ 模擬量輸入: 4 ~ 20 mA, 0 ~ 20 mA, 1 ~ 5 V, 0 ~ 5 V, 0 ~ 10 V 鉑電阻: Pt100, JPt100 |
輸入阻抗 |
電流輸入:150 Ω 以下,電壓輸入:1 MΩ以上 |
控制輸出 |
電壓輸出 |
輸出電壓:12 VDC ±15%,最大負(fù)載電流:21 mA (帶短路保護(hù)電路的PNP型) |
晶體管輸出 |
--- |
最大使用電壓:30 V,最大負(fù)載電流100 mA |
輸入和控制點(diǎn)數(shù) |
輸入點(diǎn):4,控制點(diǎn):4 |
輸入點(diǎn):2,控制點(diǎn):2 |
設(shè)置方法 |
通過通信 |
|
環(huán)境溫度 |
使用:-10℃ ~ 55℃,保存:-25℃ ~ 65℃ (無結(jié)冰或結(jié)露) |
環(huán)境濕度 |
使用:25% ~ 85% (無結(jié)露) |
注: 輸入都是多重輸入。因此,可以選擇鉑電阻、熱電偶、紅外線熱敏傳感器和模擬量輸入。
■特性
顯示精度 |
熱電偶輸入/鉑電阻輸入: (顯示值(PV)的±0.5%或±1℃,取較大者)±1位以下(見注1) 模擬量輸入: ±0.5% FS ±1位以下 CT輸入: ±5% FS ±1位以下 |
溫度變化的影響(見注2) |
熱電偶輸入(R, S, B): (顯示值(PV)的±1%或±10℃,取較大者)±1位以下 其他熱電偶輸入: (顯示值(PV)的±1%或±4℃,取較大者)±1位以下。 -100℃以下的K熱電偶:±10℃以下 鉑電阻: (顯示值(PV)的±1%或±2℃,取較大者)±1位以下 模擬量輸入: ±1% FS±1位以下 |
電壓變化的影響(見注2) |
比例帶(P) |
0.1 ~ 999.9 EU (以0.1 EU為單位)(見注3) |
積分時間(I) |
1 ~ 3,999 s (以1 s為單位) |
微分時間(D) |
0.0 ~ 999.9 s (以0.1 s為單位) |
控制時間 |
0.5 s, 1 ~ 99 s (以1 s為單位) |
報警輸出設(shè)定范圍 |
-1,999 ~ 9,999 (小數(shù)點(diǎn)位置取決于小數(shù)點(diǎn)位置B的設(shè)定) |
采樣時間 |
250 ms |
信號源電阻的影響 |
熱電偶: 0.1℃ (0.2℉)/Ω 以下(每線100 Ω以下)(見注4) 鉑電阻: 0.4℃ (0.8℉)/Ω 以下(每線10 Ω以下) |
絕緣電阻 |
20 MΩ 以上(500 VDC時) |
絕緣強(qiáng)度 |
不同極性的帶電端子之間1 min為600 VAC, 50/60 Hz |
抗振性 |
X、Y和Z方向上各2個小時10~55 Hz, 20 m/s2 |
抗沖擊性 |
6個方向上各3次150 m/s2 以下 |
重量 |
180 g |
保護(hù)等級 |
后蓋:IP20,端子部分:IP00 |
存儲器保護(hù) |
EEPROM (非易失性存儲器)(可寫次數(shù):100,000) |
標(biāo)準(zhǔn) |
批準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn) |
UL61010C-1, CSA C22.2 No.1010-1 |
符合的標(biāo)準(zhǔn) |
EN61010-1 (IEC61010-1): 污染級別2,過電壓類別II |
EMC指令 |
EMI: EN61326 EMI 輻射: EN55011 1組 A類 EMI 傳導(dǎo): EN55011 1組 A類 EMS: EN61326 ESD 抗性: EN61000-4-2 輻射電磁場抗性: EN61000-4-3 抗破裂/抗噪聲: EN61000-4-4 抗傳導(dǎo)干擾: EN61000-4-6 抗浪涌: EN61000-4-5 抗工業(yè)用電頻: EN61000-4-8 抗電壓偏向/中斷: EN61000-4-11 |
注: 1. K熱電偶的顯示在-200~1,300℃范圍內(nèi),T和N熱電偶為-100℃或以下,任何溫度下的U和L熱電偶為±2℃±1位以下。400℃或以下的B熱
電偶的顯示不受限制。200℃或以下的R和S熱電偶的顯示為±3℃±1位以下。
W = (顯示值(PV)的±0.5%或±3℃,取較大者)±1位以下。PLII = (顯示值(PV)的±0.5%或±2℃,取較大者) ±1位以下。
2. 環(huán)境溫度: -10℃ ~ 23℃ ~ 55℃
電壓范圍: 額定電壓的-15% ~ +10%
3. “EU”表示“工程單元”。對于模擬量輸入,小數(shù)點(diǎn)的位置取決于小數(shù)點(diǎn)位置B的設(shè)定。但是,如果小數(shù)點(diǎn)位置被設(shè)為0 (****),那么將
被視為設(shè)為1(***.*)。
4. B、R和S傳感器:0.2℃/Ω以下(100 Ω以下)